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第三代半导体材料及应用联合创新基地工程进展顺利

    来源:中关村顺义园管委会    更新时间:2018年08月10日

第三代半导体材料及应用联合创新基地位于中关村顺义园,总投资12.7亿元,占地47.2亩,将建设第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测、科技服务4大基础平台,为国家2030重大专项落地提供支撑。目前,共完成建筑面积51202平方米,其中地上面积34852平方米、地下面积16350平方米,完成总建筑面积的71%。预计2019年初投入使用。


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